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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(cos135度等于多少啊带根号，cos150度等于多少啊guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国内(nèi)关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)cos135度等于多少啊带根号，cos150度等于多少啊龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的(de)华cos135度等于多少啊带根号，cos150度等于多少啊海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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