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乌克兰有中国人吗,在乌克兰的中国人安全吗

乌克兰有中国人吗,在乌克兰的中国人安全吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安(ān)全审(shěn)查

  据(jù)网信办消息(xī),日(rì)前,网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

  审查发现(xiàn),美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患,对我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险,影响我国国家安(ān)全(quán)。为此,网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī),我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

  此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查,目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全,是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全,防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安(ān)全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手:停(tíng)止采购(gòu)!

  美光是美(měi)国的存储(chǔ乌克兰有中国人吗,在乌克兰的中国人安全吗)芯片(piàn)行业龙头,也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一,2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市场份(fèn)额(é)约为 96.76%,三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

  美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降,至少已经不是主要大供应(yīng)商。

  公(gōng)告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场的供应优势,公司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如果美光(guāng)在中国区销售受到限制,或将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

  分析称(ch乌克兰有中国人吗,在乌克兰的中国人安全吗ēng),长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60:1的(de)深孔(kǒng),未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟槽,催生更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露(lù),薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75%。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān),设备(bèi)国产化(huà)进程加速,看好拓荆(jīng)科(kē)技(薄膜(mó)沉积)等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升,以及存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清(qīng)洗)等(děng)收入增长。

 

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