大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是维(wéi)护国(guó)家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Soli书名号之间有没有标点符号，书名号之间有标点符号么digm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演书名号之间有没有标点符号，书名号之间有标点符号么进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限(xiàn)制名单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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