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　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过(guò)网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中733是什么意思(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产733是什么意思(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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