大家(jiā)好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国(guó)际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。合肥市小学最新排名一览表，合肥市全部小学排名一览表>

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