大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn最小的非负整数是多少数，最小的非负整数是什么意思)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安(ān)全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公最小的非负整数是多少数，最小的非负整数是什么意思(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已最小的非负整数是多少数，最小的非负整数是什么意思经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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