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2023年初一什么时候军训,初一什么时候军训2022

2023年初一什么时候军训,初一什么时候军训2022 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来(lái)看一则突发(fā)消息(xī)。

  美(měi)光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)

  据(jù)网(wǎng)信办消息,日前,网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查。

  审查(chá)发(fā)现,美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患,对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险,影响我(wǒ)国国家安全。为此,网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规,我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行2023年初一什么时候军训,初一什么时候军训2022网络安全审查,目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全,是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平(píng)对(duì)外(wài)开放,只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求,欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文称,为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全,防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn),维护国家安全,依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法(fǎ)》,网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美光是(shì)美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头,也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57%降(jiàng)至2022年(nián)约11%。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存(cún))市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35%。

  A股上(shàng)市公司(sī)中,江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应商。

  美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降,至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

  公(gōng)告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性,巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势,公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

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  有券商此前就分析,如(rú)果美光在中国区销售受到限制,或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士,国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

  分析称,长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60:1的深孔(kǒng),未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽,催生(shēng)更多(duō)设2023年初一什么时候军训,初一什么时候军训2022备需求。据东京电子披(pī)露(lù),薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75%。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单(dān),设(shè)备国(guó)产化进程加速,看好(hǎo)拓荆科技(jì)(薄(báo)膜沉(chén)积)等相关公司份额提升,以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等(děng)收入(rù)增长。

 

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