大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)顺产后宫缩第几天最疼，顺产后宫缩疼的厉害怎么缓解范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn顺产后宫缩第几天最疼，顺产后宫缩疼的厉害怎么缓解)商此前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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