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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全(quán)阿富汗是不是亡国了，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11阿富汗是不是亡国了％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国(guó)际存(cún)储厂(阿富汗是不是亡国了chǎng)商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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