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毁掉一个女人最好的办法名声,毁掉一个渣女最好的方法 半导体突发!中国出手:停止采购!

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  美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

  审(shěn)查发现(xiàn),美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患,对我国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险,影响我国国家安全。为此(cǐ),网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规,我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

  此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查,目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全,是维护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外(wài)开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú),欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文(wén)称,为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全(quán),防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全风险,维(wéi)护国家安全,依据《中华人(rén)民(mín)共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络(luò)安全(quán)法》,网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头,也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一,2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪存(cún))市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额(é)约(yuē)为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂毁掉一个女人最好的办法名声,毁掉一个渣女最好的方法商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降,至少(shǎo)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

  公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示(shì), 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示,江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng),巩固(gù)公司在下游市场的供应优势,公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

  有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析,如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制,或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备(bèi)国产化进程加速,看好拓荆科技(jì)(薄膜沉积)等(děng)相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升,以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入增(zēng)长。

 

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