大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全裤子72a是多大尺码 裤子72a和76a差别大吗审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(g裤子72a是多大尺码 裤子72a和76a差别大吗uó)的(de)存储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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