大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国(guó速溶黑咖啡粉是纯咖啡吗，黑咖啡配料表写着速溶咖啡粉)家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存(cún)速溶黑咖啡粉是纯咖啡吗，黑咖啡配料表写着速溶咖啡粉储等公司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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