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born过去式和过去分词是什么,bear的过去式过去分词 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突(tū)发(fā)消息(xī)。

  美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

  据网信办消(xiāo)息,日前,网络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

  审查发(fā)现,美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn),对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风(fēng)险,影(yǐng)响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此,网络安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规,我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

  此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查,目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安全,是维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng),只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文称,为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全,防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》,网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

  半导体突(tū)发!中(zhōng)国出(chū)手:停止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降,至少已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供(gōng)应商。

  公(gōng)告显(xiǎn)示, 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿(yì)元,占(zhàn)比(bǐ)33.52%;2022年(nián),江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē),确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng),巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势,公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商(shāng)此前(qián)就分析,如果美光在中国区销售受(sborn过去式和过去分词是什么,bear的过去式过去分词hòu)到限制,或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì),国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对产品

  分析称(chēng),长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键born过去式和过去分词是什么,bear的过去式过去分词、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤,同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽,催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露,薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān),设备国产化进(jìn)程加速,看(kàn)好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关公司份额(é)提升,以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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