大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(niá哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么写 - 手机爱问，哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么读n)约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(y哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么写 - 手机爱问，哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么读ǐ)经在(zài)存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么写 - 手机爱问，哆瑞咪发嗦啦西哆8个音怎么读步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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