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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法对美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司(sī)产品。

下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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