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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查(c一厢情愿是什么意思há)的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉(一厢情愿是什么意思chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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