大家好(hǎo)，来看(kàn)一(yī)则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)自考成绩查询时间是什么时候开始，自考成绩查询时间是什么时候查国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存(自考成绩查询时间是什么时候开始，自考成绩查询时间是什么时候查cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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