大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光(guāng)公(gō87的所有因数有哪些数，87的所有因数有哪些ng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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