大家好，来看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)cos135度等于多少啊带根号，cos150度等于多少啊依法对美(měi)光公(gōng)司cos135度等于多少啊带根号，cos150度等于多少啊在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 cos135度等于多少啊带根号，cos150度等于多少啊