大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xi吴亦凡还出得来吗ǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三(sān)大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(y吴亦凡还出得来吗óu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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