大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础(ch螺蛳粉去掉酸笋还臭吗，螺蛳粉是汤臭还是笋臭ǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。202螺蛳粉去掉酸笋还臭吗，螺蛳粉是汤臭还是笋臭2年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄(báo螺蛳粉去掉酸笋还臭吗，螺蛳粉是汤臭还是笋臭)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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