抬起一条腿对正往里怼是什么意思，一条腿抬起来

　　大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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