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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营(yíng)自爱是什么意思如何做到自爱，女生不自爱是什么意思者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的(de)存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiān自爱是什么意思如何做到自爱，女生不自爱是什么意思g)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器(qì)的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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