大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络(lu大水冲了龙王庙是什么意思生肖，大水冲了龙王庙是什么意思？ò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题(tí)危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高大水冲了龙王庙是什么意思生肖，大水冲了龙王庙是什么意思？水平对外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第(dì)二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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