大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次合肥初中排名前十名有哪些学校，合肥初中排名前十名分数线对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　合肥初中排名前十名有哪些学校，合肥初中排名前十名分数线　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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