大(dà)家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和第三大平添和凭添哪个正确，平添的添是什么意思(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合平添和凭添哪个正确，平添的添是什么意思肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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