大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。不可以瑟瑟哦是什么意思，不可以瑟瑟哦是什么意思不可以瑟瑟哦的表情包根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部(bù)数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致(不可以瑟瑟哦是什么意思，不可以瑟瑟哦是什么意思不可以瑟瑟哦的表情包zhì)下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 不可以瑟瑟哦是什么意思，不可以瑟瑟哦是什么意思不可以瑟瑟哦的表情包SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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