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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要(yào)求世上真有孙悟空存在吗，世界上有没有孙悟空，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(x世上真有孙悟空存在吗，世界上有没有孙悟空iǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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