大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn亢可以加什么偏旁变成什么字，亢这个字可以加什么偏旁)的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速亢可以加什么偏旁变成什么字，亢这个字可以加什么偏旁，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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