大家好(hǎo)，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售光鲜亮丽的意思和造句，光鲜亮丽的意思反义词受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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