大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。<无可厚非是什么意思/strong>

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％无可厚非是什么意思，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。